台积电的3纳米芯片越来越近。
据商业时报援引设备制造商的报道，台积电将于今年9月开始使用其领先的N3（3纳米级）制造工艺大规模生产芯片，这家外包制芯片制造商将在明年初向其客户交付使用其N3节点制造的首批产品。
一般来说，台积电在3月至5月的某个时间段开始新节点的大批量制造（HVM），为苹果最新的iPhone手机生产足够的芯片，这些手机通常在9月上市。但是台积电N3节点的开发时间比平时长，这就是为什么苹果即将推出的智能手机芯片将使用不同的节点。
相比之下，台积电的首批3纳米芯片将在9月才达到HVM里程碑，这比台积电最初承诺的时间晚了一些（与典型的时间表相比延迟了几个月）。尽管如此，该公司仍将实现其在今年下半年开始生产N3的目标。
N3E vs N5N3 vs N5速度提升@相同功率+18%+10%~15%功率降低@相同速度-34%-25%~-30%逻辑密度1.7×1.6xHVM启动Q2/Q3 2023H2 2022
与最初的N5制造技术相比，最初的N3制造工艺预计将提供10%至15%的性能改进（在相同的功率和复杂性下），降低25%至30%的功耗（在相同的速度和晶体管数量下），并将逻辑密度提高约1.6倍。
这种原始的N3节点有一个狭窄的工艺窗口，这意味着一些设计的产量低于预期。台积电正在开发N3E节点，它的工艺窗口有所改进，晶体管密度略低。该技术预计将在N3之后一年左右进入大规模生产，但有迹象表明N3E将更早地进入HVM。最终，台积电将在其3纳米系列中增加N3P、N3S和N3X节点。
台积电的FinFlex技术是N3的关键功能之一，使芯片开发商能够在一个区块内混合和匹配不同种类的标准单元，以准确地优化性能、功耗和面积。FinFlex对CPU或GPU内核等复杂的东西特别有利，因此苹果、AMD、英特尔和Nvidia等公司将能够为PC和高性能计算应用建造更好的处理器和图形处理器。
预计苹果公司将成为台积电第一个采用N3制造工艺的客户。